Elektronkiire aurustamise rakendamine

Elektronkiire aurustamise rakendamine - TiO 2 kile valmistamine elektronkiire aurustamisega

Kattekihiga elektronkiire aurustamine TiO 2 kile valmistamiseks, kasutades automaatse optilise katmise süsteemi INTEGRITY-39 koos ioonkiire abil elektroni kiirgusega, nagu on näidatud alloleval joonisel.

0010010 nbsp; 1. Jahutusvee sisselaskeava; {{{2}}. Jahutusvee väljalaskeava; 3. Tiigel; 4. Tala mähis; 5. Elektronkiire saatja; 6. Küttelamp; 7. Alusraam; 8. Mootor; 9. Monitooringu film; 1 0. Ioonallikaga plaadistamise teel valmistatud proovi-elektronpüstoli tööpinge on 1 0 kV, voolutugevus on {{2}} 00 A ja vaakumkambri sadestumistemperatuur on 1 45 ~ 1 55 ℃. Membraanimaterjaliks valiti must teraline Ti 2 O 3 puhtusega 9 9. 99%. Cc - 1 05 külma katoodioonioonkiirt kasutati abistamiseks. Sadestumise ajal täideti vaakumkamber O 2 -ga, mille puhtusaste oli 9 9. 99%. Enne katmist puhastatakse põhimik klaasilahusega, loputatakse deioniseeritud ainega 0010010 nbsp; vett ja kuivatati läbi lämmastikuga. Seejärel puhastatakse substraat 99. 9% atsetooni ja veevaba etanooli ultrahelilainega 15 minuti jooksul. Pärast spetsiaalse pühkimispaberiga kuivatamist laaditakse see vaakumkambrisse. Kui vaakum pumbatakse mehaanilise pumba ja difusioonipumba abil väärtusele {{5}}. 5 × 10-4pa, seadistatakse automaatne plaadistusprotsess. Kui substraat kuumutatakse sadestumistemperatuurini 1 5 0 ℃, hakkab iooniallikas substraati pommitama ja energiat juhitakse temperatuuril {{5}} 0 ~ 9 0 eV 10 min.

seejärel hakatakse elektronpüstolit kilematerjali automaatselt kuumutama ja aurustama ning sadestumise kiirus on 0. 38 ~ 0. 42 nm / s. Kui kile on ladestunud konstruktsioonipaksusega 440 nm, sulgeb programm automaatselt elektronpüstoli ja plaadistamine on lõpule viidud. Pärast katmist jahutati vaakumkamber loomulikult toatemperatuurini ja proov võeti välja. Proovi TiO 2 spektriproov viidi läbi Lambda 900 (katsevahemik 175 ~ 3 300 nm) spektrofotomeetriga. TiO 2 kile tegelik paksus, ekstinktsioonikoefitsient ja murdumisnäitaja arvutati tarkvara Macleod ümbrise meetodil. Erinevate vaakumiastete mõju filmile moodustab kvaliteetiy, TiO 2 murdumisnäitajat ja neeldumistegurit uuriti kõrge puhtusastmega hapniku erinevate vooluhulkade abil vaakumkambrisse. Kui TiO 2 õhuke kile ladestub aurustamisel, kasutades iooniallikat kõrge vaakumi kraadi juures, on vaakumi kraadi muutus koos hapniku läbipääsuga esitatud järgmises tabelis. Kuna vaakumkambris olevad hapniku molekulid ioniseeruvad hapnikuioonideks ja reageerivad Ti {{2}} O 3 aurumolekulidega täielikult, kaotab Ti {{{{4 4} lagunemisel tekkinud hapnik }}} O 3 on täiendatud ja saadud TiO 2 on filmis suhteliselt puhas. Kui hapnikuvarustus on ebapiisav või kui reaktsioon Ti {{2}} O 3 ja O 2 vahel on ebapiisav, on suure imendumisega titaanoksiidkile tino {{{{{ 4}}}} n - 1 (n=1, {{2}}, ..., 1 0). Hapnikuvoo suurenemisega suureneb aurustumisprotsessis TiO 2 aurumolekulide ja hapniku molekulide kokkupõrke tõenäosus ning energia kaob, mis vähendab põhimikule ladestunud TiO 2 kineetilist energiat. pinnale ja mõjutab ladestunud kile haardumist ja tihenemist. Optiliste õhukeste kilede puhul võib iooniallika abi suurendada substraadi pinnal olevate molekulide kineetilist energiat, see mitte ainult ei mõjuta märkimisväärselt kile murdumisnäitajat, vaid võib parandada ka kile tihedust ja niiskuskindlust ning kile oluliselt paraneb ka kleepumine aluspinnale.

IKS-OPT2700 optical E-gun vacuum coating machine，more details,contact: iks.pvd@foxmail.com