Mis on sihtmärgiks mürgitus Magnetroni pihustamisel? Millised on üldised mõjutegurid ja lahendused?

1. Mürgituse sihtmärk

◆ positiivsete ioonide kogunemine

Kui sihtmärk on mürgitatud, asetatakse sihtpinnale isoleeriv kile. Kui positiivsed ioonid jõuavad katoodeesmärgipinnani, ei saa neid isoleerkihi tõkke tõttu otse sisestada, vaid need kogunevad sihtpinnale. Nii saab kergesti genereerida külma välju ja kaarlahendus - kaarlambi valgustus. Nii et katoodipihustus ei saa jätkuda.

◆ Anood kaob

Kui sihtmärk on mürgitatud, pannakse maandatud vaakumkambri seina peale ka isoleeriv kile. Elektronid, mis jõuavad anoodini, ei suuda anoodisse sattuda ja kaovad.

2. Mürgituse mõjutavad tegurid

Sihtmürgistusi mõjutavad tegurid on peamiselt reaktiivse gaasi ja pihustusgaasi suhe. Liigne reaktsioongaas põhjustab sihtmärgi mürgitust. Reaktsioonivõimelise pihustamise protsessi käigus kaetakse reaktsiooniproduktiga pihustamiskanali piirkond sihtpinnaga või reaktsiooniprodukt kooritakse välja, et metallpind uuesti paljundada, mis jäljendab ja vaheldub.

Kui ühendi moodustumise kiirus on suurem kui see, kui ühend eemaldatakse, suureneb ühendiga kaetud ala. Teatud võimuses suureneb ühendite moodustamisel osalev reageeriva gaasi kogus ja ühendi moodustumise kiirus suureneb. Kui reageeriva gaasi kogus liigselt suureneb, suureneb ühendiga kaetud ala.

Kui reageeriva gaasi voogu ei saa aja jooksul reguleerida, ei saa ühendi katteala suurenemise kiirust alla suruda ja pihustuskanalit täiendavalt kaetakse ühendiga, kui pihustusmärk on täielikult ühendiga kaetud, sihtmärk on täielikult mürgitatud.

3. Sihtmürgituse lahendus

◆ Vastutage keskmise sagedusega või RF võimsusega.

◆ Võtke suletud ahelaga reageeriva gaasi koguse reguleerimiseks.

◆ Kasutage kaksiksidet

◆ Kontrollige katmisviisi ümberkujundamist. Enne katmist tuleb koguda sihtmärgist tingitud mürgituse hüstereesi efekti kõver, kontrollida sisselaskevoogu sihtmärgi mürgituse ees ja tagada, et protsess on alati režiimis, mis enne sadestumise kiirust järsult langeb.