Sputtering sadestuskate

Suttering sadestus pinnakate

Kui tahket pinda pommitatakse suure energiaga osakesi, võivad tahkel pinnal olevad osakesed saada energiat ja pääseda pinnalt ning ladestuda substraadile. Sputtering nähtust hakati kasutama kattetehnoloogias 1870. aastal ja pärast 1930. aastat kasutati seda järk-järgult tööstuslikus tootmises sadestusmäära suurenemise tõttu. Tavaliselt tehakse ladestatav materjal plaadiks.─sihtmärk─ja kinnitatud katoodile. Substraat asetatakse anoodile otse sihtmärgi vastas, mõne sentimeetri kaugusel sihtmärgist. Pärast süsteemi pumpamist kõrgesse vaakumisse täidetakse 10 ~ 1 Pa gaas (tavaliselt argoon) ja katoodi ja anoodi vahel rakendatakse mitu tuhat volti, et tekitada pooluste vahel hõõguvat tühjenemist. Tühjenemise tekitatud positiivsed ioonid lendavad elektrivälja toimel katoodile ja põrkuvad sihtpinnal olevate aatomitega. Kokkupõrke teel sihtpinnalt põgenevaid sihtaatomeid nimetatakse stuttering aatomiteks, mille energia ulatub 1 kuni kümneid elektronvolte. Sputtering aatomid ladestatakse substraadi pinnale, et moodustada kile. Erinevalt aurustuskattest ei piira kilematerjali sulamistemperatuur kattekihti ning see võib purustada W, Ta, C, Mo, WC, TiC ja muid tulekindlaid materjale. Sputtering liitmembraani saab kasutada reaktiivse sputtering meetodil, kus reaktsioonigaas (O, N, HS, CH jne) lisatakse Ar gaasile ning reaktsioonigaas ja selle ioonid reageerivad sihtaatomite või stuttering aatomitega, et luua substraadile ladestunud ühendeid (nagu oksiidid, nitriidid jne). Isolatsioonikile ladestamiseks saab kasutada kõrgsageduslikku sputteringit. Aluspind on paigaldatud maandatud elektroodile ja isolatsioonisihtmärk paigaldatakse vastupidisele elektroodile. HF-toiteallika üks ots on maandatud ja teine ots on ühendatud elektroodiga, mis on varustatud isoleeritud sihtmärgiga sobiva võrgu ja isoleeritud alalisvoolu võimsuse kaudu. Pärast kõrgsagedusliku toiteallika sisselülitamist muudab kõrgsageduslik pinge pidevalt selle polaarsust. Elektronid ja positiivsed ioonid plasmas tabasid isoleerivat sihtmärki vastavalt pinge positiivses ja negatiivses pooles. Kuna elektronide liikuvus on suurem kui positiivsetel ioonidel, laetakse isoleeriv sihtpind negatiivselt. Dünaamilise tasakaalu saavutamisel on sihtmärk negatiivses kallutatuse potentsiaalis, nii et positiivsete ioonide hulk jätkub. Magnetroni sputtering kasutamine võib suurendada sadestumise määra peaaegu ühe suurusjärgu võrra võrreldes mittemagnetroon-sputteringiga.

IKS PVD ettevõte, dekoratiivne kattemasin, tööriistade katmise masin, optiline kattemasin, PVD vaakumkatteliin, pöördevõtme projekt on saadaval. Võta meiega kohe ühendust, E-post: iks.pvd@foxmail.com