Aurustuskatte allikatel on kolme tüüpi

Aurustuskatte allikadomamakolme tüüpi.
(1) takistuskuumutusallikas: tulekindlate metallide, näiteks volframi, fooliumist või filamaadist valmistatud tantaaliga, läbi voolu, ülaltoodud kuumutamisel või tiiglisse aurustavasse materjali, kasutatakse takistuse kütteallikat peamiselt Cd, Pb aurustamiseks , Ag, Al, Cu, Cr, Au, Ni ja muud materjalid;
(2) kõrgsageduslik induktsioonkütteallikas: kõrgsageduslik induktsioonvoolu küttetigli ja aurustuvad ained;
(3)Elektronkiirega kuumutusallikas: sobib materjali aurustamistemperatuuri (mitte vähem kui 2000 [618-1]), see tähendab elektronkiire pommitusmaterjali aurustamiseks.
Võrreldes teiste vaakumkatte meetoditega on aurustuskattel suurem sadestumiskiirus ja seda saab kasutada elementaarsete ja raskesti termiliselt lagunevate ühendkilede valmistamiseks.
Ühe puhtusega ühekristallkilede ladestamiseks võib kasutada molekulaarkiire epitaksiat. Kasvuga legeeritud GaAlAs-i ühekristallkihi molekulaarkiire epitaksia seade. Reaktiivahi on varustatud molekulaarkiire allikaga. Kui see kuumutatakse ülitugevas vaakumis teatud temperatuurini, lasevad ahju elemendid molekulaarses voos substraadini. Substraadi kuumutamisel teatud temperatuurini võivad substraadile sadestunud molekulid migreeruda ja kasvatada kristalle vastavalt substraadi võrede järjekorrale. Suure puhtusega soovitud stöhhiomeetrilise suhtega ühekristallkiled saab molekulaarkiire epitaksia meetodi abil. Filmi aeglaseimat kasvukiirust saab reguleerida kiirusega 1 monokiht sekundis. Põrandaplaadi juhtimisega saab ühekristallilise õhukese kile soovitud koostise ja struktuuri täpselt valmistada. Molekulaarkiire epitaksiat kasutatakse laialdaselt mitmesuguste optiliste integreeritud seadmete ja ülivõre struktuuriga kilede valmistamisel

IKS PVD ettevõte, dekoratiivkatte masin, tööriistade katmise masin, optilise katmise masin, PVD vaakumkatte liin, võtmed kätte projekt on saadaval. Võtke meiega ühendust, e-post: iks.pvd@foxmail.com