Mis on magnetriipihustusest tingitud mürgistus sihtmärgiks? Millised on üldised mõjurid?

Mis on magnetriipihustusest tingitud mürgistus sihtmärgiks? Millised on üldised mõjurid?

Esiteks: sihtpinna metallide ühendite moodustamine.

Kus on ühend, mis on moodustatud metallist sihtmärgist reaktiivse pundumise kaudu? Kuna reageerivad gaasiosakesed kokkuvad sihtmärk-aatomitega, et tekitada keemilisi reaktsioone, mis moodustavad ühendi aatomeid, mis on tavaliselt eksotermilised reaktsioonid, peab reaktsiooni moodustumisel tekkiv kuumus olema viis läbi viima, muidu ei saa keemiline reaktsioon jätkuda. Gaaside vaheline soojusjuhtivus ei ole vaakumitingimustel võimatu, seega peavad keemilised reaktsioonid toimuma tahkele pinnale. Reaktiivsed pihustamismaterjalid viiakse läbi sihtpinnal, substraadi pinnal ja muudel konstruktsioonipindadel. Meie eesmärgiks on substraadi pinnaga ühendite tootmine. Muude struktuuripindade ühendite tootmine on ressursside raiskamine. Ühendite tekitamine sihtpinnal on algselt ühendi aatomite allikas, kuid hiljem muutub see takistuseks rohkemate ühendite aatomite pidevaks varustamiseks.

Teiseks, sihtmärgi mürgitust mõjutavad tegurid

Sihtmurritust mõjutavad peamiselt reaktiivse gaasi ja pihustusgaasi osakaal. Reaktsioonivõimelise pihustamise protsessis on sihtpinna pihustuskanali piirkond kaetud reaktsioonivõimeliste toodetega või reaktsioonivõimelised tooted eemaldatakse ja metallpind taasavatakse. Kui ühendi moodustumiskiirus on suurem kui ühendi eraldamise kiirus, suureneb ühendi leviala. Teatava võimsuse korral suureneb ühendi moodustumisel osalevate reaktsioonivõimeliste gaaside hulk ja ühendi moodustumise kiirus suureneb. Kui reageerimisgaasi kogus liigselt suureneb ja ühendi leviala suureneb, kui reageerivat gaasi voogu ei saa õigeaegselt reguleerida, ei takistata ühendi katteala suurenemise kiirust ja pihustuskanalit täiendavalt kaetakse ühendiga . Kui pihustamiskiirus on täielikult ühendiga kaetud, on sihtmärk täielikult mürgitatud.

Kolmas: mürgistusnähtus

(1) positiivsete ioonide kuhjumine: kui sihtmärk on mürgitatud, asetatakse sihtpinnale isoleeriv kile. Kui positiivsed ioonid jõuavad katoodide sihtpinnani, ei saa nad siseneda katoodeesmärgipinnale otseselt isolatsioonikihi tõkke tõttu. Selle asemel hoitakse nad sihtpinnal, mis tõenäoliselt tekitab kaare väljavoolu --- külgväljavaates valitsev kaar, mis muudab katoodi pihustumise võimatuks jätkata. (2) anoodne kadumine: kui sihtmärk on mürgitatud, pannakse isolatsiooni kile maapinna vaakumkambri seina peale ja anood jõuavad elektronid ei saa anoodse siseneda, moodustades anoodse kadumise nähtuse.

Neljas: sihtmärgiga mürgituse füüsiline selgitus

(1) üldiselt metalliühendite sekundaarse elektronide heitekoefitsient on metallist kõrgem. Pärast sihtmärgi mürgitamist on sihtematerjali pind kõik metalliühendid. Pärast ioonide pommitamist suureneb vabanevate sekundaarsete elektronide arv, mis parandab ruumi läbilaskvust, vähendab plasmakindlust ja põhjustab pihustuspinge vähenemist. Purunemiskiirus väheneb. Üldiselt on magnetronipurrete pihustatav pinge vahemikus 400 V kuni 600 V. Sihtmärgist tingitud mürgistuse korral väheneb pihustuspinge oluliselt. (2) metallist sihtmärgi pihustamiskiirus erineb ühendi sihtmärgi omast. Üldiselt on metalli pihustuskoefitsent suurem kui ühendis, nii et pärast tuumarimmustust on pihustamismäär madalam. (3) reaktsioonivõimelise pihustatava gaasi pihustamise efektiivsus on väiksem kui inertgaasil, nii et integreeritud pihustuskiirus väheneb pärast reageeriva gaasi osakaalu suurenemist.

Viiendaks: sihtmärgi mürgituse lahendus

(1) keskmise sagedusega võimsus või rf võimsus.

(2) reaktiivse gaasi sisselaske koguse kontrollimiseks võetakse vastu suletud ahela juhtimine.

(3) võtta vastu kaksiksidemed

(4) kontrollib katmisviisi muutmist: sihtmärgi mürgistuse hüstereesi mõju kõver on enne katmist kogutud nii, et sisselaskevoogu kontrollitakse sihtmärgi mürgituse ees ja protsess on alati režiimis, enne kui sadestumise kiirus langeb järsult .

Sihtpinna pinnal on metalli aatomeid suhteliselt lihtne purustada. Üldjuhul nõuab raadiosageduslikku piserdamist.

Ioonpommitamine muudab metalli aatomi sihtmärgi pinnal väga elavaks. Sel ajahetkel toimub sihtpinnale nii pihustamine kui ka reaktsioon ühendite moodustamiseks. Kui pihustamiskiirus on suurem kui ühendi tekitamiskiirus, on sihtmärk metalli pihustamise olekus. Vastupidi, kui reaktsioonisegu gaasi rõhk suureneb või metallipurreteerimine väheneb, võib sihtmärk äkki moodustada ühendi kiirust, mis ületab pihustamiskiiruse ja peatab pihustamise.

Sihtmärgist põhjustatud mürgituse vähendamiseks kasutavad tehnikud sageli järgmisi meetodeid: (1) saata reageerivat gaasi ja pihustatavat gaasi vastavalt substraadile ja sihtmärgi lähedale, et moodustada rõhu gradient; (2) suurendada heitgaasi kiirust; (3) gaasimpulsside kasutuselevõtt; (4) plasma jälgimine jne

Sihtmürgistus on põhjustatud sihtmärgi pinnal olevate positiivsete ioonide akumuleerumisest pihustamise protsessis, mida ei neutraliseerita. Selle tulemusena väheneb märgatava pinna negatiivne nihkejõud järk-järgult. Lõpuks, sihtmärgist mürgitus on lihtsalt lõpetatud.

Sihtmärgi mürgituse peamine põhjus on see, et söötme sünteesi kiirus on suurem kui pihustusjõud (süstitakse liiga palju oksüdatsioonireaktsiooni gaasi), mille tagajärjeks on juhi sihtmärgi juhtivus. Ainult siis, kui purunemispinge on paranenud, saab sihtmärgi särav, pinge liiga kõrge ja kaare tühjenemine toimub lihtsalt. Fenomen: sihtpinge ei saa pika aja jooksul normaalsena jõuda ja see töötab alati madala pingega koos kaare väljavooluga. Sihtpinna pinnal on valged kandjad või tugevasti pin-kujuline halli voolukiirus. Kui sihtmärgist mürgitust tuleb kõrvaldada, tuleks DC toiteallika asemel kasutada keskmise sagedusega toiteallikat või rf toiteallikat. Reaktiivse gaasi sisselaske koguse vähendamine, pihustusjõu suurendamine, sihtmärkmaterjalide (eelkõige õlireostus) saasteainete puhastamine ning tolmu ja kaarega kustutamise katte valimine hea vaakumvõimega võib tõhusalt ära hoida sihtmärgi mürgitust. Sihtmärgil olevas jahutusvees leotatud magnetil on plekid. Niikaua kui magnetvälja tugevus on piisav ja jahutus mõju on hea, on see sihtmärgi materjalile vähene.

Besmirch mõju ei ole suur ~ streigi tulekahju on isolatsiooni koht põhjustada, see on kohalik mürk tavaliselt või mustus. Sihtmürgitus on tingitud vähese võimsuse tihedusest ja üleliigse reaktsioonivõimelise gaasi suhteline aurustamine (või pihustamine) aja jooksul, mille tagajärjeks on sihtmärgi jääkpind, mille tulemusena väheneb elektrijuhtivus, jõudes seega mürgisesse olekusse. Valgus ei pruugi särama, raske lammutamise võimsus.

IKS PVD kohandas teile sobiva PVD vaakumkatte masina, võtke nüüd meiega ühendust.

iks.pvd@foxmail.com